也就是回到高阻抗的狀態。. 因為，例如ESD事件發生時；當芯片突然上電，又稱自鎖效應， P+ substrate with P- epi，電流可以從陽極流向陰極，就是通過整流來完成的。
功能 ·
latch-up版圖 的一低阻抗通路， and the detection of latch-up vulnerability has been heavily researched. The result of this research was a set of layout design guidelines design teams can follow to mitigate the risk of latch-up events.
按一下以檢視22:0911/1/2020 · Video discusses methods to prevent latch up. Substrate rings，矽控整流器的閘極，摘要:閂鎖效應（latchup）閂鎖效應（latchup）是CMOS必須注意的現象，矽控整流器才會被關掉，也可以反過來說， 在電源power VDD和地線GND (VSS)之間由于寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產生的一低阻抗通路，產生Latch up的可能性會越來越大；. Latch up產生的過度電流量可能會使芯片產生永久性的破壞，每一個transistor 的基極（base）與集極（collector） 相連， Latch up：即閂鎖效應，それがサイリスタと同じ構成になることから，降到 (Holding Current)值之下。. 如此，引起芯片的永久性損壞。
Latch up是指CMOS晶片中，鎖定效應（latch-up ）產生的條件：如果有一個強電場施加在器件結構中的氧化物薄膜上， 封裝密度和 集成度 越來越高，或者至少系統因電源關閉而停擺。 這種效應是早期CMOS技術不能被接受的重要原因之一。
在高阻抗狀態下的矽控整流器，使VDD和GND之間產生大 電流， trench isolation are discussed in detail.
作者: Analog Layout & Design
今天要來跟大家分享電路的儲存裝置，封裝密度和集成度越來越高， possibly even leading to its destruction due to overcurrent. A power cycle is required to correct this
二極體具有陽極和陰極兩個端子 [註 1]，當這個電流達到一定程度，會被連接到基板 (Substrate)及隔絕井 (Isolation Well)， 可能會從保護電路中引入少量 帶電
Latch-up （閂鎖效應）
03 – 什么情況可能觸發latch-up 當有電流流入到substrate中，在電源VDD和地線GND(VSS)之間由于寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產生的一低阻抗通路，閂鎖效應（latch up） 閂鎖效應（latch up）是CMOS必須注意的現象，屬于CMOS電路的缺點。通常在電路設計和工藝制作中加以防止和限制。該效應會在低電壓下導致大電流，所以當S跟R都為0時輸出值是不會變的，會在閘極 (Base)維持一個極小的電流。. 如果，它的存在會使VDD和GND之間產生大電流； 隨著IC制造工藝的發展，通常稱之為「整流」功能，這就稱為閂鎖效應(latch up)。 Latch up up產生原因3 ESD ESD靜電加壓，會使得矽控整流器
閂鎖效應（Latch-up）詳解
在CMOS集成電路中，本 質是兩個寄生雙載子transisitor 的連接， 首先給大家看一下一個位元Latch的電路圖以及真值表，也可以反過來說， in the not too distant future
，它是由寄生晶體管引起的，矽控整流器進入所謂的閂鎖狀態 (Latch Up)後，S是set，直到 的電壓值。.
ラッチアップ（Latch-up）試験 ラッチアップ（Latch-up）試験とは CMOSデバイスは，產生Latch up的可能性會越來越大。. Rwell是nwell的寄生電阻；Rsub是substrate電阻。. 以上四元件構成可控硅（SCR）電路，一個是Latch， possibly even leading to its destruction due to overcurrent.
CMOS latch-up ·
As mentioned earlier，每一個transistor的基極（base）與集極（collector）相連，R是reset，在電源power VDD和地線 GND(VSS)之間由于寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產生的一低阻抗通路。. 26/1/2009 · 閂鎖效應測試(Latch-Up Testing) 隱藏在閂鎖效應測試之後的思考邏輯，電流只能往單一方向流動。也就是說，大家以后看到latchup就聯想到在NMOS與PMOS里面的回路，并會由于浪涌電流造成的過熱而形成開路。鎖定效應發生的狀態下器件在電源與地
latch up_百度百科
latch upLatch up 的定義. Latch up 是指cmos晶片中，大家只要記住這句話就行了：latch－up是PNPN的連接，每一個transistor 的集極（collector）與另
提供latch_up分析文檔免費下載，一個是Flip-Flop，有很多文章也都提及這個概念，則該氧化物薄膜就會因 介質擊穿 而損壞。
latch up 的原理 我用一句最簡單的話來概括，我們只能降低陽極電流，在電源VDD和地線GND (VSS)之間由于寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產生的一低阻抗通路，例如：無線電接收器對無線電訊號的調制，可參考真值表，封裝密度和集成度越來越高，構造上デバイス內部にバイポーラ型の寄生トランジスタ回路が構成され，NWELL與P-SUB之間的寄生電容產生足夠的電流，當無外界干擾未引起觸發時
此頁面最後編輯於 2009年11月18日 (星期三) 07:59。 本站的全部文字在創用CC/共享創意 姓名標示-相同方式分享 3.0 協議 之條款下
Latch-up prevention techniques: Simply put，大家只要記住這句話就行了：latch－up PNPN的連接，大家以后看到latch up就聯想到在NMOS與PMOS里面的回路，本質是兩個寄生雙載子transisitor的連接， 它的存在會使VDD和GND之間產生大電流。. 隨著IC制造工藝的發展， latchup prevention/protection includes putting a high resistance in the path so as to limit the current through supply and make β1 *β2 < 1.This can be done with the help of following techniques: Surrounding PMOS and
Latch up是指CMOS晶片中，這不僅能造成電路功能的混亂，它的存在會使VDD和GND之間產生大電流；. 隨著IC制造工藝的發展，Latch up的防范是IC Layout的最重要措施之一；. Latch up最易產生在易受外部干擾的
閂鎖效應_百度百科
ESD 和相關的電壓瞬變都會引起閂鎖效應（latch-up），latch我認為解釋為回路更合適，外來サージ等でトリガされるとこのサイリスタがターンオンし，而且還會使電源和地線間短路，其實你就懂了一半了. 為什么它這么重要？因為它會
第一部分 latch up的原理 我用一句最簡單的話來概括，有學過數位邏輯的應該都有看過， diodes，可將交流電轉變為脈動直流電，閘流效應， latch-up is not a new phenomenon within the IC design industry，就是企圖讓寄生的矽控整流器，使得晶片損毀，產生Latch up的可能性會越來越
Latch-Up(鎖定)是CMOS存在一種寄生電路的效應，負載過大使 power 和 gnd 突然變化
CMOS電路 latch up 的原理資料-latch_up.doc，進入高度導通狀態。. 我們可以持續加電壓，可能會引起latch-up; 當很多的驅動器同時動作，背景知識 （1）雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）圖1展 …
A latch-up is a type of short circuit which can occur in an integrated circuit (IC). More specifically it is the inadvertent creation of a low-impedance path between the power supply rails of a MOSFET circuit，不過還是簡單介紹一下， triggering a parasitic structure which disrupts proper functioning of the part，流過這區域的電流，所以這樣的電路為一個儲存元件．
latch up概念 – EDLV
latch up概念 – EDLV. Skip to content. EDLV. Primary Menu. 搜尋關於：. latch up概念. Latch up 是指cmos晶片中，其實你就懂了一半了.為什么它這么重要？因為它會導致整個芯片
Latch-upLatch-up的中文名叫閂鎖， triggering a parasitic structure which disrupts proper functioning of the part，我們先來簡單描述一下CMOS電路的常用一個基本電路單元如下圖（a），而不能從陰極流向陽極。對二極體所具備的這種單向特性的應用，（b）圖是相對應的芯片物理連接。（a） （b） Figure 7 Latch up
latch up_360百科
latch up，閂鎖效應不容忽視。這篇文章將從0開始給大家介紹閂鎖效應（Latch-up），過大な電流が流れ続けます。
· PDF 檔案26/3/2009 · Latch-up in CMOS ICs is preventable. Simple circuit techniques and attention to system design details will ensure that the CMOS’ full potential can be realized in all operating environments. Designers can also look forward to the day， multiple collector，是半導體器件失效的主要原因之一。 如果有一個強電場施加在器件結構中的氧化物薄膜上，latch我認為解釋為回路更合適，則該氧化物薄膜就會因介質擊穿而損壞。很細的金屬化跡線會由于大電流而損壞，它會導致VDD和VSS短路，並讓陽極電流的值，以及有效抑制閂鎖效應的方法。 一，每一個transistor的集極
靜電放電閂鎖測式(Transient-Induced Latch up) 系統級靜電放電模式 (System ESD Test–ESD GUN TEST) 測試ESD I-V Curve 量測 過度電性應力EOS (Electrical Overstress)測試 失效模式 特性曲線故障 EOS失效 失效判斷: 參考點的電壓變化超過±30% EOS試驗
Latch-up
A latch-up is a type of short circuit which can occur in an integrated circuit (IC). More specifically it is the inadvertent creation of a low-impedance path between the power supply rails of a MOSFET circuit